Оже-микрозонд JAMP-9510F от JEOL

check the price

retail & wholesale

in stock

☎ show phone

Add to cart

Оже-микрозонд JAMP-9510F на данный момент обладает самой высокой пространственной разрешающей способностью в мире. Его совершенная электронно-оптическая система позволяет достигать разрешения 3 нм в режиме изображения во вторичных электронах и 8 нм в режиме оже-анализа. Данный микрозонд позволяет получать изображение поверхности образца, используя высокоразрешающий режим вторичных электронов, оценивать однородность материала, регистрируя отраженные электроны, проводить элементное картирование при помощи энергодисперсионного спектрометра или оже-анализатора, а также изучать поля механических напряжений и разориентацию кристаллитов, используя систему дифракции отраженных электронов. Особенности Двумя ключевыми преимуществами оже-микрозонда JAMP-9510F над растровыми электронными микроскопами являются: высочайшая чувствительность по легким элементам, не достижимая в РЭМ- возможность проводить ионное травление образца и анализировать изменения его фазового состава с глубиной. JAMP-9510F штатно комплектуется ионной пушкой усовершенствованной конструкции. Она позволяет не только очищать поверхность образца или проводить травление при послойном оже-анализе, но и мягко снимать заряд, накопившийся на непроводящем образце. Также, по требованию заказчика, микрозонд может быть дооснащен приставкой для нагрева образца до 600°-С и камерой холодного скола для получения атомарно чистых поверхностей. Основные преимущества: Сверхвысокий вакуум в камере образцов полностью исключает загрязнение поверхности образца углеводородами и позволяет беспрепятственно проводить анализ даже таких легких элементов, как литий, бериллий, бор, углерод, азот и кислород- Стабильная, высоконадежная электронно-оптическая колонна JAMP-9510F позволяет добиваться высоких разрешений даже на больших рабочих отрезках (3 нм в режиме регистрации вторичных электронов и 6 нм в режиме регистрации отраженных электронов на рабочем от

Оже-микрозонд JAMP-9510F на данный момент обладает самой высокой пространственной разрешающей способностью в мире. Его совершенная электронно-оптическая система позволяет достигать разрешения 3 нм в режиме изображения во вторичных электронах и 8 нм в режиме оже-анализа. Данный микрозонд позволяет получать изображение поверхности образца, используя высокоразрешающий режим вторичных электронов, оценивать однородность материала, регистрируя отраженные электроны, проводить элементное картирование при помощи энергодисперсионного спектрометра или оже-анализатора, а также изучать поля механических напряжений и разориентацию кристаллитов, используя систему дифракции отраженных электронов.

Особенности

Двумя ключевыми преимуществами оже-микрозонда JAMP-9510F над растровыми электронными микроскопами являются:

высочайшая чувствительность по легким элементам, не достижимая в РЭМ-
возможность проводить ионное травление образца и анализировать изменения его фазового состава с глубиной.

JAMP-9510F штатно комплектуется ионной пушкой усовершенствованной конструкции. Она позволяет не только очищать поверхность образца или проводить травление при послойном оже-анализе, но и мягко снимать заряд, накопившийся на непроводящем образце. Также, по требованию заказчика, микрозонд может быть дооснащен приставкой для нагрева образца до 600°-С и камерой холодного скола для получения атомарно чистых поверхностей.

Основные преимущества:

Сверхвысокий вакуум в камере образцов полностью исключает загрязнение поверхности образца углеводородами и позволяет беспрепятственно проводить анализ даже таких легких элементов, как литий, бериллий, бор, углерод, азот и кислород-
Стабильная, высоконадежная электронно-оптическая колонна JAMP-9510F позволяет добиваться высоких разрешений даже на больших рабочих отрезках (3 нм в режиме регистрации вторичных электронов и 6 нм в режиме регистрации отраженных электронов на рабочем отрезке 25 мм)-
Термополевой катод Шоттки обладает большим сроком службы (несколько лет), обеспечивает очень яркий пучок электронов с малым разбросом по энергиям и высокий ток пучка (до 200 нА)-
Электростатический полусферический анализатор позволяет работать как в одноканальном режиме высокого энергетического разрешения, так и в многоканальном режиме высокой чувствительности-
Ионная пушка новой конструкции позволяет не только проводить ионное травление поверхности образца, но и исследовать непроводящие материалы-
Большой столик образцов позволяет работать с объектами диаметром до 95 мм-
Возможность устанавливать множество разнообразных приставок (энергодисперсионный спектрометр, система дифракции отраженных электронов, камера холодного скола, система нагрева образца и т.п.)
Возможность наклона образца под высокими углами, что особенно важно при работе с непроводящими образцами и при регистрации картин дифракции отраженных электронов-
Высокое энергетическое разрешение оже-анализатора, позволяющее регистрировать химические сдвиги линий элементов и точно устанавливать фазовый состав образцов.

Электронно-оптическая система
Разрешение во вторичных электронах 3 нм при 25 кВ, 10 пА
Probe diameter for Auger analysis 8nm(at 25kV, 1nA)
Источник электронов термополевой катод Шоттки
Диапазон ускоряющих напряжений 0,5 - 30 кВ
Диапазон токов пучка 510 пА - 200 нА
Диапазон увеличений от x 25 до 500,000
Система Оже-анализа

Анализатор электростатический полусферический
Энергетическое разрешение (&Delta-E/E) от 0,05 до 0,6%
Чувствительность не менее 840,000 имп./с при работе в 7-канальном режиме (10 кВ, 10 нА Cu-LMN, энергетическое разрешение - 0,6%, наклон образца - 60°-)
Система детектирования многоканальная
Ионная пушка
Диапазон энергий ионов 10 &ndash- 4000 эВ
Ионный ток (поглощенный) 2 А и более при 3000 эВ- 0,03 А и более при 10 эВ
Функция нейтрализации заряда встроена
Столик образцов

Диапазон перемещений образца X: ±-10 мм- Y: ±-10 мм- Z: ±-6 мм,
T (наклон): от 0 до 90°-- R (вращение): 360°- (бесконечное)
Максимальный размер образца Для малого столика: 20 мм в диаметре, 5 мм высотой-
Для большого столика: 95 мм в диаметре, 2 мм высотой
Ультравысоковакуумная система
Давление в камере образцов 5×-10-8 -Па и ниже
Отжиг Встроенный нагреватель, автоматический режим отжига
Устанавливаемые приставки Большой столик образцов
Система парковки образцов
Камера холодного скола
Приставка для нагрева образцов
Детектор отраженных электронов
Энергодисперсионный спектрометр (ЭДС)
Система дифракции отраженных электронов (ДОРЭ)

id позиции 5406024

Оже-микрозонд JAMP-9510F на данный момент обладает самой высокой пространственной разрешающей способностью в мире. Его совершенная электронно-оптическая система позволяет достигать разрешения 3 нм в режиме изображения во вторичных электронах и 8 нм в режиме оже-анализа. Данный микрозонд позволяет получать изображение поверхности образца, используя высокоразрешающий режим вторичных электронов, оценивать однородность материала, регистрируя отраженные электроны, проводить элементное картирование при помощи энергодисперсионного спектрометра или оже-анализатора, а также изучать поля механических напряжений и разориентацию кристаллитов, используя систему дифракции отраженных электронов.

Особенности

Двумя ключевыми преимуществами оже-микрозонда JAMP-9510F над растровыми электронными микроскопами являются:

высочайшая чувствительность по легким элементам, не достижимая в РЭМ-
возможность проводить ионное травление образца и анализировать изменения его фазового состава с глубиной.

JAMP-9510F штатно комплектуется ионной пушкой усовершенствованной конструкции. Она позволяет не только очищать поверхность образца или проводить травление при послойном оже-анализе, но и мягко снимать заряд, накопившийся на непроводящем образце. Также, по требованию заказчика, микрозонд может быть дооснащен приставкой для нагрева образца до 600°-С и камерой холодного скола для получения атомарно чистых поверхностей.

Основные преимущества:

Сверхвысокий вакуум в камере образцов полностью исключает загрязнение поверхности образца углеводородами и позволяет беспрепятственно проводить анализ даже таких легких элементов, как литий, бериллий, бор, углерод, азот и кислород-
Стабильная, высоконадежная электронно-оптическая колонна JAMP-9510F позволяет добиваться высоких разрешений даже на больших рабочих отрезках (3 нм в режиме регистрации вторичных электронов и 6 нм в режиме регистрации отраженных электронов на рабочем отрезке 25 мм)-
Термополевой катод Шоттки обладает большим сроком службы (несколько лет), обеспечивает очень яркий пучок электронов с малым разбросом по энергиям и высокий ток пучка (до 200 нА)-
Электростатический полусферический анализатор позволяет работать как в одноканальном режиме высокого энергетического разрешения, так и в многоканальном режиме высокой чувствительности-
Ионная пушка новой конструкции позволяет не только проводить ионное травление поверхности образца, но и исследовать непроводящие материалы-
Большой столик образцов позволяет работать с объектами диаметром до 95 мм-
Возможность устанавливать множество разнообразных приставок (энергодисперсионный спектрометр, система дифракции отраженных электронов, камера холодного скола, система нагрева образца и т.п.)
Возможность наклона образца под высокими углами, что особенно важно при работе с непроводящими образцами и при регистрации картин дифракции отраженных электронов-
Высокое энергетическое разрешение оже-анализатора, позволяющее регистрировать химические сдвиги линий элементов и точно устанавливать фазовый состав образцов.

Электронно-оптическая система
Разрешение во вторичных электронах	3 нм при 25 кВ, 10 пА
Probe diameter for Auger analysis	8nm(at 25kV, 1nA)
Источник электронов	термополевой катод Шоттки
Диапазон ускоряющих напряжений	0,5 - 30 кВ
Диапазон токов пучка	510 пА - 200 нА
Диапазон увеличений	от x 25 до 500,000
Система Оже-анализа
Анализатор	электростатический полусферический
Энергетическое разрешение (&Delta-E/E)	от 0,05 до 0,6%
Чувствительность	не менее 840,000 имп./с при работе в 7-канальном режиме (10 кВ, 10 нА Cu-LMN, энергетическое разрешение - 0,6%, наклон образца - 60°-)
Система детектирования	многоканальная
Ионная пушка
Диапазон энергий ионов	10 &ndash- 4000 эВ
Ионный ток (поглощенный)	2 А и более при 3000 эВ- 0,03 А и более при 10 эВ
Функция нейтрализации заряда	встроена
Столик образцов
Диапазон перемещений образца	X: ±-10 мм- Y: ±-10 мм- Z: ±-6 мм, T (наклон): от 0 до 90°-- R (вращение): 360°- (бесконечное)
Максимальный размер образца	Для малого столика: 20 мм в диаметре, 5 мм высотой- Для большого столика: 95 мм в диаметре, 2 мм высотой
Ультравысоковакуумная система
Давление в камере образцов	5×-10-8 -Па и ниже
Отжиг	Встроенный нагреватель, автоматический режим отжига
Устанавливаемые приставки	Большой столик образцов Система парковки образцов Камера холодного скола Приставка для нагрева образцов Детектор отраженных электронов Энергодисперсионный спектрометр (ЭДС) Система дифракции отраженных электронов (ДОРЭ)